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一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法

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  • 更新日期:2013-06-07 14:34
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本发明公布了一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法,所述微阵列包括蓝宝石LED外延片、GaN列矩阵隔离结构、InGaN/GaN量子阱薄膜层、有源区、N型欧姆接触、P型欧姆接触、光线反射金属层、金属互连引线、以及支撑硅电极。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构的列单元和能放置LED字线金属引线的台面结构,然后分别电子束蒸发不同金属形成N型和P型欧姆接触,形成光线反射金属层,并用PECVD淀积二氧化硅作为钝化层;在LED阵列引线外接区域电子束蒸发金属形成LED阵列的倒装焊压焊结构;随后在硅衬底裸片的隔离氧化层上完成金属铝线图形化Al并淀积二氧化硅钝化层,最后采用倒装焊技术实现对接。
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