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高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法

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  • 更新日期:2013-06-07 14:23
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本发明提出了高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法,所述电池的结构为:底电极/n型梯度μc或epi?Si1-xGex/n-型硅晶片/i-μ-Si/i-A-Si1-xGex/i-A-Si/i-μc-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜。这种单晶多i层的PIN结构,i层可从上述六种材料中选用组成二层,三层,四层,五层和六层级结构;采用激光结晶工艺,等离子掺杂工艺,CVD和PECVD过度层工艺来改善各层之间的界面性能,并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性;电池转换效率可望达到25%—30%,并具有较好的稳定性。

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